格芯宣布已收购瑞萨电子的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器技术

　　GlobalFoundries(GF，格芯)近日宣布，已经收购瑞萨电子公司(Renesas)的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器 (conductive- bridging RAM，CBRAM) 技术，这是一种低功耗的存储器解决方案，旨在实现家庭和工业物联网以及智能移动设备的一系列应用。
图片来自网络/侵删

　　这项交易进一步加强 GF 的存储器产品组合，并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案，扩展其嵌入式非易失性存储器(NVM)解决方案的路线图。具体而言，这项技术将使客户能够进一步区分其 SoC 设计，并推动新一代安全和智能设备的发展。

　　格芯表示，“致力于使我们技术组合差异化，成为客户今天和未来几十年的节能物联网应用的基础。通过收购这项创新的存储技术，GF 现在在加速开发 NVM 解决方案方面发挥着至关重要的作用，这将使我们的客户能够设计出下一代的智能和互联设备。CBRAM 技术释放了性能和超低能耗的新范式，使从可穿戴设备到智能手机的各种应用，在特定的使用情况下，将电池充电的间隔时间从几小时延长到几周甚至几年。”

　　CBRAM 的低功耗、高读 / 写速度、降低制造成本和对恶劣环境的耐受性，使其特别适用于消费、医疗和特定工业应用。2020 年，格芯 GF 与 Dialog 半导体公司(该公司于 2021 年被瑞萨公司收购)达成了一项许可协议，将其 CBRAM 技术作为一种嵌入式、NVM 选项。现在，CBRAM 正在该公司的 22FDX 平台上得到认证，并计划将其扩展到其他平台。
　　文章来源：http://www.codekj.com/html/news/xwdt/2023_02/11/3022038.html

免责声明：本网部分文章转自互联网,本文仅代表作者个人观点，与邯郸之窗网站无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。